功能描述
PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8016内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8016的降频调制技术有助于改善EMI特性。
1. 高压启动与自供电
在启动阶段，内部高压启动管提供2.5mA电流对外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到VDDON，芯片开始工作，高压启动管停止对VDD电容充电；当VDD电压降低到VDDOFF，芯片继续工作，但内部高压启动管再次提供2.5mA电流对外部VDD电容进行充电；从而实现芯片自供电，无需辅助绕组或其他外围元件对芯片供电。
2. 恒压工作模式
芯片通过FB管脚对输出进行电压采样，当FB电压低于内部基准电压，芯片开启集成的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准电流IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二极管对储能电感续流。图2-1和图2-2分别给出连续模式（CCM）和非连续模式（DCM）下系统关键节点工作波形。同时芯片集成负载补偿功能，可以提高恒压精度，实现较好的负载调整率。
特性3. PFM 调制
芯片工作在PFM模式，同时内部设置IPEAK随芯片工作频率FSW降低而降低，芯片开关周期每增大1us，Ipeak降低约12mA。由于芯片内置采样，最大Ipeak固定，当输出电压和输出电流固定时，电感感量是唯一调制工作频率的参数。
4. 软启动
为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度CCM模式，带来较大电流尖峰。PN8016设置软启动功能，在启动前10ms，最高开关频率降低为25%，在启动10ms到15ms，最高开关频率降低为50%。同时芯片设计较小的LEB时间（300ns）,以降低LEB时间内能量大小，以避免系统启动时的高电流尖峰。
5. 智能保护功能
PN8016集成全面的保护功能，包括：过载保护、过温保护、FB异常保护、VDD欠压保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。
过载保护------当FB检测到电压低于1.7V，且持续150ms触发过载保护，芯片重启。
过温保护------当芯片结温超过150℃，芯片进入过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于120度，芯片重新启动。
FB异常保护------芯片软启动结束后，如果FB电位仍低于100mV，则判定为FB异常短路，芯片重启；同时在芯片启动阶段会检测FB是否与VDD短路，如发生短路则芯片无法启动。
VDD欠压保护------当芯片VDD电压低于8V，芯片重新启动。另外芯片异常自恢复的时间可通过VDD电容调整，VDD电容越大，自恢复时间越长。
■内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET
■内置高压启动和自供电电路
■适用于Buck、Buck-Boost、Flyback等多种架构
■输出电压3.3V~18V可通过FB电阻调整
■半封闭式稳态输出电流> 300mA @230VAC
■改善EMI的降频调制技术
■优异的负载调整率和工作效率
■全面的保护功能
*过载保护（OLP）
*过温保护（OTP）
*欠压保护（UVLO）
三 应用
■非隔离辅助电源
■家电
■智能家居
■LED
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